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輸入計算

數學公式

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結果

真實記憶體延遲
10
奈秒(ns)
CAS 延遲(CL) 16
記憶體頻率 3,200 MT/s

什麼是記憶體延遲?

記憶體延遲指的是記憶體控制器發出資料請求,到記憶體實際把資料送出之間的真實延遲時間。雖然廠商在規格上標示的是以時脈週期計算的 CAS 延遲(CL),但光看週期數其實看不出全貌——因為時脈愈高,每一個週期的時間就愈短。這個計算機會把 CL 與模組的資料傳輸率(MT/s)換算成 以奈秒為單位的真實延遲,這才是真正反映反應速度的關鍵指標。

使用方法

輸入記憶體套件上標示的 CAS 延遲(例如 CL16、CL36),以及額定頻率(以 MT/s 為單位,例如 3200、6000)。計算機就會回傳以奈秒計的真實延遲。奈秒數值愈低,代表實際存取速度愈快。如此一來,你就能公平地比較頻率與時序各不相同的記憶體模組。

公式解析

計算公式為 $$\text{延遲 (ns)} = \frac{\text{CL} \times 2000}{\text{頻率 (MT/s)}}$$ 現代記憶體採用「雙倍資料速率」(DDR),因此標示的 MT/s 是實際時脈頻率(MHz)的兩倍。常數 \(2000 = 2 \times 1000\),作用是把這個減半後的時脈換算成每週期的奈秒時間,再乘上週期數(CL)。

展示 CAS 延遲時脈週期換算為真實延遲奈秒數的示意圖
以奈秒為單位的真實延遲由 CAS 延遲週期數與記憶體時脈頻率推算而得。

實際範例

以 DDR4-3200 CL16 套件為例:$$\frac{16 \times 2000}{3200} = \frac{32000}{3200} = 10 \text{ ns}$$ 再看 DDR5-6000 CL36 套件:$$\frac{36 \times 2000}{6000} = \frac{72000}{6000} = 12 \text{ ns}$$ 儘管 DDR5 的 CL 與時脈都更高,這裡算出來的延遲反而略高一些——但它能提供大得多的頻寬。

DDR4 與 DDR5 記憶體模組真實延遲(奈秒)的長條對比圖
更高的頻率可以抵消更高的 CL,因此兩個模組的真實延遲可能相近。

常見問題

延遲一定愈低愈好嗎?對於延遲敏感的工作來說,是的——但頻寬、容量與價格同樣重要,必須一起考量。

為什麼用 2000 而不是 1000?因為 DDR 在每個時脈週期會傳輸兩次資料,所以實際有效時脈只有 MT/s 數值的一半;乘以 2 就是為了修正這個差異。

這適用於 DDR3、DDR4 和 DDR5 嗎?適用——由於這些世代都採用相同的雙倍資料速率原理,因此這個公式對所有 DDR 世代都成立。

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