RAM 레이턴시 계산기

계산 입력

CAS 레이턴시 (CL)

메모리 속도 (MT/s)

결과

실제 메모리 지연시간

10

나노초 (ns)

CAS 레이턴시 (CL)	16
메모리 속도	3,200 MT/s

RAM 레이턴시란?

RAM 레이턴시는 메모리 컨트롤러가 데이터를 요청한 시점부터 RAM이 실제로 데이터를 내어주기까지의 지연시간을 말합니다. 제조사는 보통 CAS 레이턴시(CL)를 클럭 사이클 단위로 표기하지만, 사이클 수만으로는 전체 그림을 알 수 없습니다. 클럭 속도가 빨라질수록 사이클 하나의 시간이 짧아지기 때문이죠. 이 계산기는 CL과 모듈의 데이터 전송률(MT/s)을 실제 지연시간(나노초, ns)으로 변환해 줍니다. 바로 이 ns 값이 체감 반응 속도를 가장 정확하게 보여주는 지표입니다.

사용 방법

메모리 키트에 표기된 CAS 레이턴시(예: CL16, CL36)와 정격 속도(MT/s, 예: 3200, 6000)를 입력하세요. 계산기가 실제 지연시간을 나노초 단위로 보여 줍니다. 나노초 값이 낮을수록 실제 접근 속도가 빠릅니다. 이를 통해 속도와 타이밍이 서로 다른 메모리 모듈을 공정하게 비교할 수 있습니다.

공식 설명

공식은 다음과 같습니다.

$$\text{Latency (ns)} = \frac{\text{CAS Latency (CL)} \times 2000}{\text{Memory Speed (MT/s)}}$$

요즘 메모리는 한 클럭에 두 번 데이터를 전송하는 "더블 데이터 레이트(DDR)" 방식이라, 표기된 MT/s 값은 실제 클럭 주파수(MHz)의 두 배입니다. 상수 2000은 \(2 \times 1000\)으로, 절반 속도의 클럭을 사이클당 나노초 단위 시간으로 환산한 뒤 사이클 수(CL)를 곱한 결과입니다.

나노초 단위의 실제 지연 시간은 CAS 지연 사이클과 메모리 클럭 속도로 산출됩니다.

계산 예시

DDR4-3200 CL16 키트의 경우:

$$(16 \times 2000) \div 3200 = 32000 \div 3200 = \textbf{10 ns}$$

DDR5-6000 CL36 키트의 경우:

$$(36 \times 2000) \div 6000 = 72000 \div 6000 = \textbf{12 ns}$$

CL과 클럭이 더 높은데도 이 경우 DDR5의 지연시간이 약간 더 길지만, 대역폭은 훨씬 큽니다.

속도가 빠르면 높은 CL을 상쇄할 수 있어 두 모듈의 실제 지연 시간이 비슷할 수 있습니다.

자주 묻는 질문

지연시간은 무조건 낮을수록 좋을까요? 지연시간에 민감한 작업이라면 그렇습니다. 다만 대역폭, 용량, 가격도 함께 고려해야 합니다.

왜 1000이 아니라 2000을 쓰나요? DDR은 한 클럭 사이클에 데이터를 두 번 전송하기 때문에 실제 클럭은 MT/s 값의 절반입니다. 곱하기 2가 바로 이 부분을 보정해 줍니다.

DDR3, DDR4, DDR5 모두에 적용되나요? 네, 모든 DDR 세대가 동일한 더블 데이터 레이트 원리를 사용하므로 이 공식은 모든 세대에 그대로 적용됩니다.