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公式

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結果

Hall Coefficient RH
0.00002
m³/C(立方メートル毎クーロン)
計算式 RH = VH · t / (I · B)

ホール係数とは?

ホール係数(RH)は、電流が流れている導体や半導体に対して垂直な磁場をかけたとき、その物質がどのように応答するかを表す量です。動いている電荷キャリアが磁場によって横方向に偏向されると、電流の向きに対して横向きに電圧が生じます。これがホール電圧です。ホール係数は、このホール電圧と実験条件を結びつける指標であり、電荷キャリアの「符号」と「密度」の両方を明らかにします。\(R_H\) が正であれば正孔(ホール)による伝導、負であれば電子による伝導を示します。

長方形導体におけるホール効果の平面図
ホール効果:磁場が電流中の電荷を曲げ、横方向にホール電圧を生じさせる。

この計算ツールの使い方

SI単位で測定した4つの値を入力します。ホール電圧 \(V_H\) はボルト(V)、試料の厚さ \(t\) はメートル(m、磁場と平行な方向の寸法)、電流 \(I\) はアンペア(A)、磁束密度 \(B\) はテスラ(T)で入力してください。計算結果として \(R_H\) が立方メートル毎クーロン(m³/C)で求められます。すべての値を基本SI単位でそろえることで、次元の整合した正しい結果が得られます。

計算式の解説

基本となる式は次のとおりです。

$$R_H = \frac{\text{Hall Voltage } V_H \cdot \text{Thickness } t}{\text{Current } I \cdot \text{Field } B}$$

分子の \(V_H \cdot t\) は、測定したホール電圧を試料の厚さでスケールした項です。一方、分母の \(I \cdot B\) は、流した電流と印加した磁場の積を表します。さらに、キャリア密度 \(n\) は \(n = 1 / (R_H \cdot q)\) から求められます。ここで \(q\) は電気素量です。

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ホール係数の式の分解図
RH = VH·t/(I·B) の各変数は、試料の測定可能な量に対応する。

計算例

たとえば \(V_H = 1\times10^{-4}\ \text{V}\)、\(t = 1\times10^{-3}\ \text{m}\)、\(I = 0.01\ \text{A}\)、\(B = 0.5\ \text{T}\) とします。このとき $$R_H = \frac{1\times10^{-4} \times 1\times10^{-3}}{0.01 \times 0.5} = \frac{1\times10^{-7}}{0.005} = 2\times10^{-5}\ \text{m}^3/\text{C}$$ となります。この値は正なので、p型(正孔による)伝導であることを示します。

よくある質問(FAQ)

どの単位を使えばよいですか? 基本SI単位(ボルト、メートル、アンペア、テスラ)を使ってください。そうすれば \(R_H\) は m³/C で求められます。

なぜ幅ではなく厚さを使うのですか? 厚さは磁場の方向に沿った寸法であり、偏向されたキャリアが横切る断面を決めるためです。

\(R_H\) は負になることがありますか? はい。ホール係数が負の場合は電子(n型)が伝導の主役であることを意味し、正の場合は正孔(p型)が主役であることを示します。

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