इंट्रिंसिक कैरियर कंसंट्रेशन कैलकुलेटर

गणना दर्ज करें

कंडक्शन बैंड स्टेट्स घनत्व Nc (cm⁻³)

वैलेंस बैंड स्टेट्स घनत्व Nv (cm⁻³)

बैंड गैप ऊर्जा Eg (eV)

तापमान T (K)

परिणाम

इंट्रिंसिक कैरियर कंसंट्रेशन

66.75899E8

cm⁻³

√(Nc·Nv)	1706.458E16 cm⁻³
exp(−Eg / 2kT)	391.2137E-12

इंट्रिंसिक कैरियर कंसंट्रेशन क्या है?

इंट्रिंसिक कैरियर कंसंट्रेशन n_i किसी शुद्ध, अनडोप्ड सेमीकंडक्टर में थर्मल साम्यावस्था (thermal equilibrium) के दौरान प्रति घन सेंटीमीटर मौजूद मुक्त इलेक्ट्रॉनों की संख्या है — और यह संख्या होल्स (holes) की संख्या के बराबर होती है। डिवाइस फिज़िक्स में यह सबसे बुनियादी राशियों में से एक है: यही डायोड के लीकेज करंट, डिटेक्टरों के डार्क करंट और ट्रांज़िस्टरों की तापमान-संवेदनशीलता को तय करती है। सिलिकॉन कार्बाइड जैसे वाइड-गैप पदार्थों का n_i बेहद छोटा होता है, जबकि जर्मेनियम जैसे नैरो-गैप पदार्थों का n_i कहीं अधिक बड़ा होता है।

नैज अर्धचालक में बैंड गैप के पार बराबर संख्या में इलेक्ट्रॉनों और होलों का तापीय उत्पादन।

कैलकुलेटर का उपयोग कैसे करें

कंडक्शन बैंड (\(N_c\)) और वैलेंस बैंड (\(N_v\)) में प्रभावी स्टेट्स घनत्व (effective density of states) को cm⁻³ में, बैंड गैप ऊर्जा \(E_g\) को इलेक्ट्रॉन-वोल्ट (eV) में, और परम तापमान (absolute temperature) \(T\) को केल्विन (K) में दर्ज करें। कैलकुलेटर \(n_i\) के साथ-साथ ज्यामितीय माध्य \(\sqrt{N_c \cdot N_v}\) और एक्सपोनेंशियल बोल्ट्ज़मान फैक्टर भी दिखाता है, ताकि आप देख सकें कि हर भाग का योगदान कितना है।

सूत्र की व्याख्या

यह व्यंजक है $$n_i = \sqrt{\text{N}_c \cdot \text{N}_v}\;\exp\!\left(-\frac{\text{E}_g}{2\,k\,\text{T}}\right)$$ प्रीफैक्टर \(\sqrt{N_c \cdot N_v}\) बैंड किनारों के पास उपलब्ध स्टेट्स को दर्शाता है, जबकि एक्सपोनेंशियल पद — यानी बोल्ट्ज़मान फैक्टर — यह बताता है कि थर्मल ऊर्जा किस तरह इलेक्ट्रॉनों को गैप के पार धकेलती है। चूँकि \(n_i\) का मान \(-E_g/2kT\) पर एक्सपोनेंशियल रूप से निर्भर करता है, इसलिए यह तापमान बढ़ने पर तेज़ी से बढ़ता है और गैप चौड़ा होने पर तेज़ी से घटता है। यहाँ \(k = 8.617333262\times10^{-5}\ \text{eV/K}\) है, ताकि \(E_g\) और \(kT\) दोनों एक ही ऊर्जा इकाई में रहें।

बोल्ट्ज़मान गुणक के कारण n_i तापमान के साथ चरघातांकी रूप से बढ़ता है।

हल किया गया उदाहरण

300 K पर सिलिकॉन के लिए \(N_c = 2.8\times10^{19}\), \(N_v = 1.04\times10^{19}\ \text{cm}^{-3}\) और \(E_g = 1.12\ \text{eV}\) लेने पर: $$\sqrt{N_c \cdot N_v} = \sqrt{2.912\times10^{38}} \approx 1.7065\times10^{19}$$ एक्सपोनेंट $$= \frac{-1.12}{2 \cdot 8.617333262\times10^{-5} \cdot 300} \approx -21.66,$$ जिससे \(\exp \approx 3.91\times10^{-10}\) मिलता है। इसलिए \(n_i \approx 6.68\times10^{9}\ \text{cm}^{-3}\), जो पाठ्यपुस्तकों में दिए गए लगभग \(10^{10}\ \text{cm}^{-3}\) के मान के काफी करीब है (छोटा अंतर चुने गए प्रभावी द्रव्यमानों के कारण आता है)।

अक्सर पूछे जाने वाले प्रश्न

\(n_i\) में \(kT\) के बजाय \(2kT\) क्यों आता है? क्योंकि फर्मी स्तर (Fermi level) लगभग गैप के बीचों-बीच होता है, और हर कैरियर एक इलेक्ट्रॉन-होल जोड़े का "आधा" हिस्सा होता है। इस तरह गैप ऊर्जा बँट जाती है, जिससे हर में 2 का गुणक आ जाता है।

मुझे कौन-सी इकाइयाँ इस्तेमाल करनी चाहिए? \(N_c\) और \(N_v\) को cm⁻³ में, \(E_g\) को eV में, और \(T\) को केल्विन में डालें। परिणाम तब cm⁻³ में मिलेगा।

क्या यह किसी भी सेमीकंडक्टर के लिए काम करता है? हाँ — यह एक सार्वभौमिक भौतिकी संबंध है। बस अपने पदार्थ और तापमान के लिए सही \(N_c\), \(N_v\) और \(E_g\) भरें।